DC60 (30/10/52)
การประดิษฐ์นี้เป็นการจัดเตรียมแหล่งของพลาสมาแบบใหม่ที่มีประโยชน์ในศิลปะหรือ
วิทยาการด้านการเคลือบฟิล์มบางและวิธีการที่ใช้สิ่งเดียวกันนี้ กล่าวอย่างจำเพาะเจาะจงยิ่งขึ้นก็คือ การ
ประดิษฐ์นี้จะเป็นการจัดเตรียมแหล่งของพลาสมาที่เป็นเส้นตรงและเป็นสองมิติที่ผลิตพลาสมาที่เป็น
เส้นตรงและเป็นสองมิติออกมาซึ่งมีประโยชน์ในการเคลือบไอสารเคมีที่มีการเพิ่มขีดความสามารถของ
พลาสมา นอกจากนี้ การประดิษฐ์นี้ยังเป็นการจัดเตรียมวิธีการทำสารเคลือบที่เป็นฟิล์มบางและวิธีการ
เพิ่มประสิทธิภาพในการเคลือบของวิธีการในลักษณะเช่นนี้
การประดิษฐ์นี้เป็นการจัดเตรียมแหล่งของพลาสมาแบบใหม่ที่มีประโยชน์ในศิลปะหรือ
วิทยาการด้านการเคลือบฟิล์มบางและวิธีการที่ใช้สิ่งเดียวกันนี้ กล่าวอย่างจำเพาะเจาะจงยิ่งขึ้นก็คือ การ
ประดิษฐ์นี้จะเป็นการจัดเตรียมแหล่งของพลาสมาที่เป็นเส้นตรงและเป็นสองมิติที่ผลิตพลาสมาที่เป็น
เส้นตรงและเป็นสองมิติออกมาซึ่งมีประโยชน์ในการเคลือบไอสารเคมีที่มีการเพิ่มขีดความสามารถของ
พลาสมา นอกจากนี้ การประดิษฐ์นี้ยังเป็นการจัดเตรียมวิธีการทำสารเคลือบที่เป็นฟิล์มบางและวิธีการ
เพิ่มประสิทธิภาพในการเคลือบของวิธีการในลักษณะเช่นนี้
1. แหล่งของพลาสมาที่ประกอบด้วย
พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่งและพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สอง
โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวมีการเชื่อมต่อกระแสไฟฟ้าเข้ากับแหล่งจ่าย
กำลังที่จ่ายแรงดันไฟฟ้าซึ่งมีการสลับระหว่างค่าบวกและค่าลบ
โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวถูกคั่นด้วยช่องว่างที่บรรจุก๊าซไว้
โดยที่แรงดันไฟฟ้าที่ถูกจ่ายไปยังพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สองดังกล่าวออกนอก
เฟสเมื่อเทียบกับแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายไปยังพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่ง
โดยที่กระแสที่ประกอบด้วยอิเล็กตรอนทุติยภูมิจะไหลระหว่างพื้นผิวสำหรับปล่อย
อิเล็กตรอนและ
โดยมีการสร้างพลาสมาดังกล่าวขึ้นมาระหว่างพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนและโดยที่
พลาสมาดังกล่าวมีลักษณะเป็นเส้นตรงและมีความยาวอย่างน้อยประมาณ 0.5 เมตรและถูกทำให้มี
ลักษณะโดยสำคัญที่สม่ำเสมอตลอดความยาวของมันโดยไม่มีการขยับเลื่อนของอิเล็กตรอนของวงจร
ปิดมากนัก
2. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวถูก
แยกออกจากกันเป็นระยะประมาณ 1 มิลลิเมตรเป็นอย่างน้อยถึงประมาณ 0.5 เมตรเป็นอย่างน้อย
3. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่พลาสมาที่สร้างขึ้นโดยแหล่งของพลาสมามี
ความยาวอย่างน้อยประมาณ 1 เมตร
4. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวมี
อุณหภูมิประมาณ 600 ํC เป็นอย่างน้อยถึงประมาณ 2000 ํC เป็นอย่างน้อย
5. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวมี
อุณหภูมิประมาณ 800 ํC เป็นอย่างน้อยถึงประมาณ 1200 ํC เป็นอย่างน้อย
6. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่กระแสดังกล่าวจะไหลผ่านช่องผ่านหรือช่อง
เปิดที่มีการกำจัดขอบเขตซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ในพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว
7. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยมีช่องว่างที่บรรจุก๊าซไว้จะบรรจุก๊าซที่เป็น
ผลิตผลขั้นต้น,ก๊าซทำปฎิกิริยาหรือก๊าซเหล่านี้ผสมผสานกัน
8. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 7 โดยที่ก๊าซที่เป็นผลผลิตขั้นต้นดังกล่าวประกอบด้วย
โลหะ, โลหะทรานสิชัน, โบรอน, คาร์บอน, ซิลิคอนเจอร์เมเนียม,ซีลีเนียมหรือสิ่งเหล่านี้ผสมผสานกัน
9. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 7 โดยที่ก๊าซทำปฎิกิริยาดังกล่าวประกอบด้วย
ออกซิเจน, ไนโตรเจน, ฮาโลเจน, ไฮโดรเจนหรือก๊าซเหล่านี้ผสมผสานกัน
10. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่แหล่งของพลาสมาดังกล่าวสามารถผลิตสาร
เคลือบได้ด้วยอัตราการเคลือบทับอย่างน้อยประมาณ 0.2 ไมโครเมตร/วินาที
11. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่แหล่งของพลาสมาดังกล่าวสามารถผลิตสาร
เคลือบได้ด้วยอัตราการเคลือบทับอย่างน้อยประมาณ 0.3 ไมโครเมตร/วินาที
12. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่แหล่งของพลาสมาดังกล่าวสามารถผลิตสาร
เคลือบได้ด้วยอัตราการเคลือบทับอย่างน้อยประมาณ 0.5 ไมโครเมตร/วินาที
13. สารเคลือบที่ผลิตขึ้นโดยแหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1
14. แหล่งของพลาสมาซึ่งประกอบด้วย
พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนจำนวนมากกว่าหนึ่งคู่ซึ่งแต่ละคู่ประกอบด้วยพื้นผิว
สำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่งและพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สอง
โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนจำนวนมากกว่าหนึ่งคู่ดังกล่าวถูกจัดเตรียมไว้ใน
บริเวณที่อยู่ติดกันในแถวลำดับหนึ่งๆ
โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนแต่ละคู่ถูกคั่นด้วยช่องว่างที่บรรจุก๊าซไว้
โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวมีการเชื่อมต่อกระแสไฟฟ้าเข้ากับแหล่งจ่าย
กำลังที่จ่ายแรงดันไฟฟ้าซึ่งมีการสลับระหว่างค่าบวกและค่าลบ
โดยที่แรงดันไฟฟ้าที่ถูกจ่ายไปยังพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สองดังกล่าวออกนอก
เฟสเมื่อเทียบกับแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายไปยังพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่งของแต่ละคู่
โดยที่กระแสที่ประกอบด้วยอิเล็กตรอนทุติภูมิจะไหลระหว่างพื้นผิวสำหรับปล่อย
อิเล็กตรอนของแต่ละคู่และ
โดยที่พลาสมาแบบสองมิติถูกจัดทำขึ้น โดยพลาสมาที่สร้างขึ้นระหว่างพื้นผิวสำหรับ
ปล่อยอิเล็กตรอนของแต่ละคู่และโดยที่พลาสมาแบบสองมิติดังกล่าวมีความยาวอย่างน้อยประมาณ 0.5
เมตรและถูกทำให้มีลักษณะโดยสำคัญที่สม่ำเสมอในสองมิติโดยไม่มีการขยับเลื่อนของอิเล็กตรอนของ
วงจรปิดมากนัก
15. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่พื้ผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนของแต่ละคู่
ถูกแยกออกจากกันเป็นระยะประมาณ 1 มิลลิเมตรเป็นอย่างน้อยถึงประมาณ 0.5 เมตรเป็นอย่างน้อย
16. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่พลาสมาแบบสองมิติที่สร้างขึ้นโดยแหล่ง
ของพลาสมามีความยาวอย่างน้อยประมาณ 1 เมตร
17. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนของแต่ละคู่มี
อุณหภูมิประมาณ 600 ํC เป็นอย่างน้อยถึงประมาณ 2000 ํC เป็นอย่างน้อย
18. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 17 โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนของแต่ละคู่มี
อุณหภูมิประมาณ 800 ํC เป็นอย่างน้อยถึงประมาณ 1200 ํC เป็นอย่างน้อย
19. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่กระแสดังกล่าวจะไหลผ่านช่องผ่านหรือช่อง
เปิดที่มีการกำจัดขอบเขตซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ในพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนของแต่ละคู่
20. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่ช่องว่างที่บรรจุก๊าซไว้จะบรรจุก๊าซที่เป็น
ผลิตผลขั้นต้น, ก๊าซทำปฎิกิริยาหรือก๊าซเหล่านี้ผสมผสานกัน
21. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ก๊าซที่เป็นผลิตผลขั้นต้นดังกล่าวประกอบด้วย
โลหะ, โลหะทรานสิชัน, โบรอน, คาร์บอน, ซิลิคอนเจอร์เมเนียม, ซีลีเนียมหรือสิ่งเหล่านี้ผสมผสานกัน
22. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ก๊าซทำปฎิกิริยาดังกล่าวประกอบด้วย
ออกซิเจน, ไนโตรเจน, ฮาโลเจน, ไฮโดรเจนหรือก๊าซเหล่านี้ผสมผสานกัน
23. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่แหล่งของพลาสมาดังกล่าวสามารถผลิตสาร
เคลือบได้ด้วยอัตราการเคลือบทับอย่างน้อยประมาณ 0.2 ไมโครเมตร/วินาที
24. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่แหล่งของพลาสมาดังกล่าวสามารถผลิตสาร
เคลือบได้ด้วยอัตราการเคลือบทับอย่างน้อยประมาณ 0.3 ไมโครเมตร/วินาที
25. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่แหล่งของพลาสมาดังกล่าวสามารถผลิตสาร
เคลือบได้ด้วยอัตราการเคลือบทับอย่างน้อยประมาณ 0.5 ไมโครเมตร/วินาที
26. สารเคลือบที่ผลิตขึ้นโดยแหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14
27. แหล่งของพลาสมาที่ประกอบด้วย
พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่งและพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สองและ
ขั้วแม่เหล็กอย่างน้อยสองขั้ว
โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวมีการเชื่อมต่อกระแสไฟฟ้าเข้ากับแหล่งจ่าย
กำลังที่จ่ายแรงดันไฟฟ้าซึ่งมีการสลับระหว่างค่าบวกและค่าลบ
โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวถูกคั่นด้วยช่องว่างที่บรรจุก๊าซไว้
โดยที่แรงดันไฟฟ้าที่ถูกจ่ายไปยังพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สองดังกล่าวออกนอก
เฟสเมื่อเทียบกับแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายไปยังพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่ง
โดยที่กระแสที่ประกอบด้วยอิเล็กตรอนทุติยภูมิจะไหลระหว่างพื้นผิวสำหรับปล่อย
อิเล็กตรอนและ
โดยที่ขั้วแม่เหล็กอย่างน้อยสองขั้วดังกล่าวถูกกำหนดตำแหน่งให้งอและ/หรือเพิ่มความ
หนาแน่นให้กับพลาสมาที่ถูกสร้างขึ้นระหว่างพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอน
28. สารเคลือบที่ผลิตขึ้นโดยแหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 27
29. แหล่งพลาสมาซึ่งประกอบด้วย
พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่งและพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สองและ
อิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอัน
โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวมีการเชื่อมต่อกระแสไฟฟ้าเข้ากับแหล่งจ่าย
กำลังซึ่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่หนึ่งซึ่งมีการสลับระหว่างค่าบวกและค่าลบ
โดยที่อิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอันดังกล่าวมีไว้เพื่อเชื่อมต่อเข้ากับแหล่งจ่ายกำลังที่จ่าย
แรงดันไฟฟ้าที่สองซึ่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่สองซึ่งแตกต่างจากแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายให้กับพื้นผิวสำหรับ
ปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่งและที่สองดังกล่าว
โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวถูกคั่นด้วยช่องว่างที่บรรจุก๊าซไว้
โดยที่แรงดันไฟฟ้าที่ถูกจ่ายไปยังพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สองดังกล่าวออกนอก
เฟสเมื่อเทียบกับแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายไปยังพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่ง
โดยที่กระแสที่ประกอบด้วยอิเล็กตรอนทุติยภูมิจะไหลระหว่างพื้นผิวสำหรับปล่อย
อิเล็กตรอนและ
โดยที่เมื่ออิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอันดังกล่าวเป็นพัลส์ลบก็จะมีการเร่งความเร็วของ
ไอออนบวกไปยังพื้นผิวแห่งหนึ่งของอิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอันดังกล่าว
30. สารเคลือบที่ผลิตขึ้นโดยแหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 29
31. วิธีการสร้างสารเคลือบซึ่งประกอบด้วย
a) การจัดเตรียมพลาสมาที่เป็นแนวเส้นตรงและมีความยาวอย่างน้อยประมาณ 0.5 เมตร
ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะโดยสำคัญที่สม่ำเสมอตลอดความยาวของมันโดยไม่มีการขยับเลื่อนของ
อิเล็กตรอนของวงจรปิดมากนัก
b) การจัดเตรียมก๊าซที่เป็นผลิตผลขั้นต้นและ/หรือก๊าซทำปฎิกิริยาซึ่งอยู่ใกล้กับพลาสมา
c) การจัดเตรียมฐานรองซึ่งมีพื้นผิวอย่างน้อยแห่งหนึ่งที่จะถูกเคลือบในบริเวณใกล้กับ
พลาสมาและ
d) การเคลือบก๊าซต่างๆ ทับลงบนพื้นผิวอย่างน้อยหนึ่งแห่งดังกล่าวของฐานรองดังกล่าว
เพื่อสร้างสารเคลือบ
32. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 โดยที่สารเคลือบดังกล่าวถูกเคลือบทับด้วยอัตราการเคลือบทับ
อย่างน้อยประมาณ 0.2 ไมโครเมตร/วินาที
33. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 32 โดยที่สารเคลือบดังกล่าวถูกเคลือบทับด้วยอัตราการเคลือบทับ
อย่างน้อยประมาณ 0.3 ไมโครเมตร/วินาที
34. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 33 โดยที่สารเคลือบกดังกล่าวถูกเคลือบทับด้วยอัตราการเคลือบทับ
อย่างน้อย 0.5 ไมโครเมตร/วินาที
35. วิธีการจัดทำสารเคลือบซึ่งประกอบด้วย
a) การจัดเตรียมพลาสมาที่เป็นสองมิติและมีความยาวอย่างน้อยประมาณ 0.5 เมตรซึ่งถูก
ทำให้มีลักษณะโดยสำคัญที่สม่ำเสมอในสองมิติโดยไม่มีการขยับเลื่อนของอิเล็กตรอนของวงจรปิดมากนัก
b) การจัดเตรียมก๊าซที่เป็นผลิตขั้นต้นและ/หรือก๊าซทำปฎิกิริยาซึ่งอยู่ใกล้กับพลาสมา
c) การจัดเตรียมฐานรองรับซึ่งมีพื้นผิวอย่างน้อยแห่งหนึ่งที่จะถูกเคลือบในบริเวณใกล้กับ
พลาสมาและ
d) การเคลือบก๊าซต่างๆ ทับลงบนพื้นผิวอย่างน้อยหนึ่งแห่งดังกล่าวของฐานรองดังกล่าว
เพื่อสร้างสารเคลือบ
36. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 35 โดยที่สารเคลือบดังกล่าวถูกเคลือบทับด้วยอัตราการเคลือบทับ
อย่างน้อยประมาณ 0.2 ไมโครเมตร/วินาที
37. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 36 โดยที่สารเคลือบดังกล่าวถูกเคลือบทับด้วยอัตราการเคลือบทับ
อย่างน้อยประมาณ 0.3 ไมโครเมตร/วินาที
38. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 โดยที่สารเคลือบดังกล่าวถูกเคลือบทับด้วยอัตราการเคลือบทับ
อย่างน้อยประมาณ 0.5 ไมโครเมตร/วินาที
39. วิธีการงอและ/หรือเพิ่มความหนาแน่นให้กับพลาสมาซึ่งประกอบด้วย
a) การจัดเตรียมพลาสมาที่เป็นแนวเส้นตรงและมีความยาวอย่างน้อยประมาณ 0.5 เมตร
ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะโดยสำคัญที่สม่ำเสมอตลอดความยาวของมันโดยไม่มีการขยับเลื่อนของ
อิเล็กตรอนของวงจรปิดมากนัก
b) การจัดเตรียมขั้วแม่เหล็กอย่างน้อยสองขั้วไว้ใกล้กับพลาสมา
โดยที่ขั้วแม่เหล็กอย่างน้อยสองขั้วดังกล่าวถูกกำหนดตำแหน่งเพื่อให้งอและ/หรือเพิ่ม
ความหนาแน่นให้กับพลาสมาดังกล่าว
40. วิธีการสร้างสารเคลือบซึ่งประกอบด้วย
a) การจัดเตรียมพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่งและพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอน
ที่สอง
b) การจัดเตรียมอิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอัน
c) การจัดเตรียมฐานรองพร้อมด้วยพื้นผิวอย่างน้อยหนึ่งแห่งที่จะเคลือบ
d) การเชื่อมต่อพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนเข้ากับแหล่งของพลาสมาที่หนึ่งซึ่งจ่าย
แรงดันไฟฟ้าที่สลับระหว่างค่าบวกและค่าลบ
e) การเชื่อมต่ออิเล็กโทรดเพิ่มเติมอย่างน้อยหนึ่งอันเข้ากับแหล่งของพลาสมาที่สองซึ่ง
จ่ายแรงดันไฟฟ้าที่แตกต่างจากแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายให้กับพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่งและที่
สองดังกล่าว
f) การดันอิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอันไปทางด้านลบในลักษณะที่มีการเร่งความเร็วของ
ไอออนบวกไปยังพื้นผิวแห่งหนึ่งของอิเล็กโทรดเพิ่มเติมอย่างน้อยหนึ่งอันดังกล่าว
โดยที่เมื่อถูกเชื่อมต่อด้วยไอออนบวกก็จะมีการปล่อยอะตอมออกจากอิเล็กโทรดอย่างน้อย
หนึ่งอันดังกล่าวและถูกส่งไปยังพื้นผิวของฐานรองที่จะเคลือบ
41. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว
ประกอบด้วยวัสดุที่เป็นรูพรุน
42. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว
ประกอบด้วยวัสดุที่เป็นรูพรุน
43. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 27 โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว
ประกอบด้วยวัสดุที่เป็นรูพรุน
44. แหล่งของพลาสมาตามข้อถือสิทธิที่ 28 โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว
ประกอบด้วยวัสดุที่เป็นรูพรุน